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### 笔记

ES8P5066时钟树[ES8P5066_Datasheet_C V1.1.pdf-38页](file:///D:/Download/ES8P5066_Datasheet_C V1.1.pdf)

#### PWM设置

```
手册提出0x00为预分频1:1
但是官方demo提出0x01为预分频比1:1
经过测试得出0x01为预分频比1:1，0x02为预分频比1:2以此类推
```

![image-20220217113031928](markdown.assets/%E7%AC%94%E8%AE%B0.assets/image-20220217113031928.png)

![image-20220217113408015](markdown.assets/%E7%AC%94%E8%AE%B0.assets/image-20220217113408015.png)

```
ES8P5066的大小:64kFlash，4K的SRAM
program size:单位字节（1K=1024Byte）
code:falsh大小
RO-data:程序定义的常量，存储在FLASH中(const)
RW-data:已经被初始化的变量，存储在SRAM中
ZI-data:未被初始化的变量，存储在SRAM中(没有初始化，默认初始化0)
外设时钟与芯片系统时钟相同（芯片参考手册132页）

定时器的时钟源选择：Pclk=芯片的系统时钟
T16N_PRECNT 设置初始值为0即可
T16N_CNT0 计数器的数值
T16N_MAT0/1/2/3 占空比
T16N_TOP0 计数器的最大值
T16N0OUT0/1 在那个引脚上输出

芯片配置字位于 FLASH 存储器的 INFO0 信息区，用户可在 ISP 编程时进行设置
ADC：
斩波器：直流斩波是将固定的直流电压变换成可变的直流电压
中断标志位需软件清零


学习一款新的芯片，首先要搞清楚他的时钟树，其次搭建环境先跑提供的demo工程
用到的无非就是GPIO以及各种外设（串口，定时器等），具体外设的学习方法首先搞清楚时钟是多少，从哪里来，
```

#### 位带操作

```
优点操作简单，可防止符寄存器的脏写
```

#### 配置字

```
使用ESBurner软件进行配置字的设置
注意：先将Falsh进行擦除,配置好以后电机确定就可将配置字烧录到falsh中
     在进行调试完成后将配置字（DEBUG禁止）

IWDTRL IWDT 计数溢出时间约 2s
MRSTN  选择MRSTN下载器必须五线
PWRTEN 上电延时时间（140ms）
BORVS  低压复位
DEBUG  出厂的时候禁止
IWDTINTEN 独立看门狗使能位（只在硬件使能的时候有效）
IWDTEN 独立看门狗软件使能还是硬件使能
WWDTEN 窗口看门狗软件使能
XTAL 外部时钟不选择不生效
GBRDP 读保护等级（我感觉出厂等级设置为2）

Flash 存储器可以通过配置字 CFG_WRP0 和 CFG_WRP1 的 START、END 位配置两段
写保护区域，通过 ENB 位配置两段写保护区域使能。
Flash 页擦除和 Flash 字编程，无法对写保护区擦除和写入，Flash 全擦时，可以将写保
护区数据清除。
```

#### 下载器引脚

![image-20220215100150355](markdown.assets/%E7%AC%94%E8%AE%B0.assets/image-20220215100150355.png)