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笔记
ES8P5066时钟树[ES8P5066_Datasheet_C V1.1.pdf-38页](file:///D:/Download/ES8P5066_Datasheet_C V1.1.pdf)
PWM设置
手册提出0x00为预分频1:1
但是官方demo提出0x01为预分频比1:1
经过测试得出0x01为预分频比1:1，0x02为预分频比1:2以此类推
ES8P5066的大小:64kFlash，4K的SRAM
program size:单位字节（1K=1024Byte）
code:falsh大小
RO-data:程序定义的常量，存储在FLASH中(const)
RW-data:已经被初始化的变量，存储在SRAM中
ZI-data:未被初始化的变量，存储在SRAM中(没有初始化，默认初始化0)
外设时钟与芯片系统时钟相同（芯片参考手册132页）
定时器的时钟源选择：Pclk=芯片的系统时钟
T16N_PRECNT 设置初始值为0即可
T16N_CNT0 计数器的数值
T16N_MAT0/1/2/3 占空比
T16N_TOP0 计数器的最大值
T16N0OUT0/1 在那个引脚上输出
芯片配置字位于 FLASH 存储器的 INFO0 信息区，用户可在 ISP 编程时进行设置
ADC：
斩波器：直流斩波是将固定的直流电压变换成可变的直流电压
中断标志位需软件清零
学习一款新的芯片，首先要搞清楚他的时钟树，其次搭建环境先跑提供的demo工程
用到的无非就是GPIO以及各种外设（串口，定时器等），具体外设的学习方法首先搞清楚时钟是多少，从哪里来，
位带操作
优点操作简单，可防止符寄存器的脏写
配置字
使用ESBurner软件进行配置字的设置
注意：先将Falsh进行擦除,配置好以后电机确定就可将配置字烧录到falsh中
在进行调试完成后将配置字（DEBUG禁止）
IWDTRL IWDT 计数溢出时间约 2s
MRSTN 选择MRSTN下载器必须五线
PWRTEN 上电延时时间（140ms）
BORVS 低压复位
DEBUG 出厂的时候禁止
IWDTINTEN 独立看门狗使能位（只在硬件使能的时候有效）
IWDTEN 独立看门狗软件使能还是硬件使能
WWDTEN 窗口看门狗软件使能
XTAL 外部时钟不选择不生效
GBRDP 读保护等级（我感觉出厂等级设置为2）
Flash 存储器可以通过配置字 CFG_WRP0 和 CFG_WRP1 的 START、END 位配置两段
写保护区域，通过 ENB 位配置两段写保护区域使能。
Flash 页擦除和 Flash 字编程，无法对写保护区擦除和写入，Flash 全擦时，可以将写保
护区数据清除。
下载器引脚
